HW系列手腕带在线报警器的分析评估报告

 一：esd的危害

 日本nec公司一份统计，每年因静电损坏ic的比例：线形ic12%；mos存储器12%；cmos器件79%。

  esd危害是静电源产生的电能作用到或过于接近esds（静电敏感元器件）元件（或整机设备）所导致的结果。使电子器件性能退化或功能失效。在现代化大规模集成电路（lsi）生产中，芯片的线宽已达0.1μm,如果其产生静电则对几˜几十微米的尘埃吸附作用明显，一颗直径几微米尘埃吸附在芯片上，即可造成十几根芯线之间的绝缘强度降低，造成短路使芯片损坏。在esd对电子产品的损害中，活动的人体带电是一个重要的原因，一般情况下人体带电的静电电压在1-2kv，目前，半导体内有pn结，它的介电层sio2，膜厚度0.007_0.15μm,再考虑工艺偏差，能承受的耐压值很低。目前半导体器件安全阀门限电压≤100v，人体静电放电Zui小放电量可达3.12x 10的4次方焦耳，瞬间的放电电流峰值可达几安培几上，试问如果不做好生产的防备，有哪种敏感元器件能承受esd的杀伤。

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